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Si1065X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
8
V GS = 5 V thr u 2.5 V
2.0
6
4
V GS = 2 V
1.5
1.0
T C = 25 °C
2
V GS = 1.5 V
0.5
T C = 125 °C
0
V GS = 1.0 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.6
1.2
1. 8
2.4
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.25
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics Curves vs. Temp.
0.20
0.15
V GS = 1. 8 V
V GS = 2.5 V
8 00
600
0.10
V GS = 4.5 V
400
C iss
0.05
0.00
200
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
0
3
6
9
12
5
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 1.1 8 A
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V , I D = 1.1 8 A
4
V DS = 6 V
1.3
1.2
V GS = 2.5 V , I D = 1.07 A
3
1.1
2
1
0
V DS = 9.6 V
1.0
0.9
0. 8
V GS = 1. 8 V , I D = 0.94 A
0
2 4 6
8
- 50
- 25
0 25 50 75 100 125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74320
S12-1619-Rev. D, 09-Jul-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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